IBM正尝试利用石墨烯超越7nm制程

1、在碳化硅基底上生长石墨烯，再揭下放在硅/氧化硅晶片上；

2、刻蚀石墨烯，产生层积位点，没被刻蚀的石墨烯充当下一步的电极；

3、在交流电场中使溶液里的纳米材料被附在石墨烯层积位点附近；

4、除去石墨烯层积电极。

这种方法的最大好处在于能够以纳米级分辨率层积各种纳米材料，石墨烯电极使得层积的纳米材料有很好的取向和密度。

在石墨烯上层积纳米材料不失为一种跨越摩尔定律的好方法。 ”

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