明年内存芯片市场低迷 三星计划放缓扩张步伐

一位业内人士称：“在一场由三星电子联席CEO、设备解决方案部门负责人金奇南(Kim Ki-nam)和三星电子海外分支机构负责人主持的会议上，三星讨论了调整DRAM和NAND闪存芯片产能增长步伐的问题。”

有新闻报道称，三星计划明年削减内存芯片的产量，使DRAM和NAND芯片产量涨幅分别低于20%和30%。三星在今年11月召开的第三季度财报电话会议上曾表示，今年DRAM芯片的“位增长”(Bit growth)预计将达到20%，而NAND芯片“位增长”有望达到约40%。

“位增长”是指以“位”为单位，计算内存芯片增加的规模，这有助于计算出每一家芯片供应商的产能。据业内观察家称，随着“位增长”预期的降低，预计三星将保守地执行其内存生产投资计划。

因此，三星在庆吉省平泽(Pyeongtaek)最新的园区、投资30万亿韩元建设第二条DRAM芯片生产线的投资计划，在执行方面可能要比最初计划的更谨慎。这样，三星可以通过限制新的供应增长，来预防内存价格的下滑。按照原计划，平泽第二条DRAM芯片生产线将于明年上半年完工。

此外，在明年可能出现供应过剩的局面下，预计三星还将限制其在平泽的第一条生产线二楼生产区的DRAM产量。一位行业高管称：“三星原计划在平泽DRAM生产线上增加4万个晶片，如今，三星只考虑在2019年前6个月增加2万至3万个晶片。”

由于三星下调了对公司第四季度的盈利预期，令分析师对其2019年的表现感到更加悲观。据韩国证券经纪公司预计，由于半导体行业的季节性低迷，三星电子第四季度运营利润将从第三季度的17.57万亿韩元降至约13万亿韩元。

据市场分析师预计，明年前6个月全球内存芯片产业需求将出现下滑，预计下半年将反弹。

本文素材来自互联网