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这样一来，从112层提高到162层使得芯片的面积减少了40%，在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量，直接大幅降低了闪存成本。
除了产能、成本上的改善，铠侠的162层闪存还改进了架构，将控制电路放置于存储阵列下方，不仅减少了核心面积，还提高了性能，工作速度2.4倍提升，延迟减少了10%，IO性能提升了66%，实现了性能、容量双重提升。
铠侠并没有公布162层3D闪存的量产时间，预期是要到2022年了，可能会在铠侠、西数位于日本四日市的新建工厂量产。
2020年10越低，为了满足日益增长的5G需求，铠侠宣布将投资1万亿日元，约合95亿美元，在日本四日市再建一座3D闪存工厂，占地面积超过40000平方米，建成后将成为旗下最大的闪存工厂，也是该公司第七座闪存厂。
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