此外,中芯国际在14nm之后的先进工艺上还在加速追赶,2月份的财报会议上,中芯国际联席CEO梁孟松博士也首次公开了N+1、N+2代工艺的情况。
他说N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。
N+1之后还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于 性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。
中芯国际国内外的晶圆厂分布
中芯国际的N+1工艺相当于台积电的第一代7nm工艺,偏向低功耗一些,N+2工艺重点在提升性能,相当于台积电的7nm+工艺。
更进一步的消息称,中芯国际的7nm级工艺进度比预期的要快,今年底就要生产了,尽管初期肯定是试产,产能不会有多大。
中芯国际7nm工艺年底问世的消息不仅国人关注,欧美的科技媒体最近也报道了这件事,除了关注技术问题之外,他们也认为这件事对中国的半导体行业意义重大。
总之,假如中芯国际的7nm工艺顺利,那么中国公司在半导体核心技术上算是追上来了,尽管还不能领跑,但有了同级竞争的资格了。
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