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Intel眼中的“假7nm”台积电:N7制程节点命名遵循惯例 确非物理尺度

Intel眼中的“假7nm”台积电:N7制程节点命名遵循惯例 确非物理尺度

资料图(来自:AMD)

时任工艺架构和集成总监的Mark Bohr呼吁晶圆厂们建立套统一的规则来命名先进制程,比如晶体管密度。而且以这个标准来看的话,Intel的10nm甚至比竞品的7nm还要优秀。

此后,坊间的挺I派喊出三星、台积电是“假7nm”的口号。

对此,台积电营销负责人Godfrey Cheng做客AMD webinar活动时回应,从0.35微米(350nm)开始,所谓的工艺数字就不再真正代表物理尺度了。他解释,7nm/N7是一种行业标准化术语而已,之后还有N5等等。

他同样认为“需要寻求一种全新的、对工艺节点不同的描述化语言。”

按照Intel的建议,以逻辑晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米的百万晶体管数)来作为定义工艺节点的指标,将扫描触发器和NAND2密度考虑进去,同时报告SRAM单元规模。

本文素材来自互联网

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