据悉,三星此次的LPDDR5 DRAM基于第二代10nm级工艺(1y nm)打造,由8颗12Gb晶片和4颗8Gb晶片封装而成,用于高端智能手机后将为5G网络、8K视频、AI运算助力。
另外,三星透露,基于第三代10nm级工艺(1z nm)的单晶片16Gb LPDDR5内存将于下半年量产,速率达到6400Mbps,也就是LPDDR5的设计极限。
届时,封装一片16GB手机内存只需要8颗小晶片,可进一步降低发热、减少功耗以及对手机内部空间的侵占。
本文素材来自互联网
据悉,三星此次的LPDDR5 DRAM基于第二代10nm级工艺(1y nm)打造,由8颗12Gb晶片和4颗8Gb晶片封装而成,用于高端智能手机后将为5G网络、8K视频、AI运算助力。
另外,三星透露,基于第三代10nm级工艺(1z nm)的单晶片16Gb LPDDR5内存将于下半年量产,速率达到6400Mbps,也就是LPDDR5的设计极限。
届时,封装一片16GB手机内存只需要8颗小晶片,可进一步降低发热、减少功耗以及对手机内部空间的侵占。
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