对于Intel的10nm工艺,大家都知道这代工艺拖延了很久,按之前的Tick-Tock进度,它应该在2016年就量产了,实际上今年6月份的Ice Lake十代酷睿处理器才真正实现了HVM大规模量产。
10nm多次延期的原因,Intel也解释过几次了,Intel加拿大区域主管Denis Gaudreaut日前又重申了一遍:
“在规划22nm、14nm、10nm的过程中,我想我们在架构密度方面有些过于激进了,大大增加了复杂性,结果进展不顺,遇到了一些挫折,这往往会花费数月乃至数年时间才能解决。”
那么10nm工艺到底难在哪里呢?这个也好说,此前半导体工艺按照摩尔定律发展的话,新一代工艺通常是2x微缩,而Intel在14nm到10nm升级中一下子跳跃到了2.7x微缩,10nm工艺就实现了100MTr/mm2的晶体管密度,是台积电、三星7nm工艺的水平。
制造难度提升导致了10nm的良率一直无法解决,进度也一直延期,一直拖到了今年。
现在问题又来了,Ice Lake处理器使用的10nm工艺跟之前酷睿i3-8121U所用的10nm工艺是不是一样的呢?这个问题Intel一直没有正面回应过,但是Techinsights搞明白了。
Techinsights日前发布了10nm Ice Lake处理器酷睿i7-1065G7的拆解分析,指出它使用的是10nm+工艺,FinFET晶体管结构也改了以提高性能,触点布局也变了以提升良率。
简单来说,Techinsights的拆解证实了Intel现在量产的10nm工艺实际上就是10nm+,而第一代10nm工艺随着酷睿i3-8121U的退市已经彻底再见了。
本文素材来自互联网