三星的6nm、5nm、4nm工艺都是7nm改良：3nm弃用FinFET

三星称，EUV后，他们将在3nm节点首发GAA MCFET（多桥通道FET）工艺。由于FinFET的限制，预计在5nm节点之后会被取代。

实际上，5nm在三星手中，也仅仅是7nm LPP的改良，可视为导入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三个迭代版本，分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。

相较于年初的路线图，三星6LPP只是简单地引入SDB，从而提供了1.18倍的密度改进。另一个改变是删除4LPP节点，在路线图上只留下4LPE。最后，三星将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。

关于工艺核心指标，5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM，但性能增强了11%，UHD下的密度会接近130 MTr/mm²，终于第一次超过了Intel 10nm和台积电7nm。

在4nm LPE上（2021年推出），三星可以做到137 MTr/mm²的密度，接近台积电5nm。

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