域名频道资讯站
我们一直在努力制造惊吓

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同,体现了极大的技术进步。

这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。

三星透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。

本文素材来自互联网

赞(0)
分享到: 更多 (0)

中国专业的网站域名及网站空间提供商

买域名买空间