总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同,体现了极大的技术进步。
这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。
三星透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。
本文素材来自互联网
总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同,体现了极大的技术进步。
这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。
三星透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。
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