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（题图 AnandTech）
这款内存控制器支持多种访问语义，包括字节和块的可寻址 DRAM 访问、栈内配置、密钥区域内存隔离操作码，以简化数据中心级新型工作负载所需的数据处理的内存访问。
该控制器还具有 16 个 Gen-Z 通道、25 Gbps 物理层（PHY）、以及 400 Gbps 的聚合性能。然而强劲的性能，也让这款芯片的功率达到了 20W，因此需要搭配适当的散热方案。
Smart Module Gen-Z 内存模组还采用了 SNIA 的 3 英寸 4C SFF-TA-1008/9 封装形式，提供 30 GB/s 的带宽和 400 ns 的确定性访问延迟。
在戴尔（DELL）和惠普企业（HPE）设计的机架式服务器中，Smart Modular 特地对这款 256 GB ZMM 产品进行了 Gen-Z 专门的互联性测试。
在这几家存储解决方案供应商和服务器制造商的努力下，硬件行业正积极准备在未来正式推出 Gen-Z 产品。至于确切的商用时间，仍有待观察。
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