三星3纳米制程领先台积电？台湾专家表示不屑

“制程节点”代表闸极的“平均长度”，会随制程技术的进步而变小，当缩小到14纳米以下遇到问题，因此发明了“鳍式场效电晶体（FinFET）”，但是5纳米以下又遇到问题，才出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出，GAA的原理很简单，就是增加闸极与电子通道的接触面积，可以增加控制效果减少漏电流。除了三星，各家晶圆厂早就在发展GAA，只是结构稍有不同，因为测试效果没有比FinFET好，良率又低，因此没有拿这个专有名词来“唬人”而已。

曲建仲强调，三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大，这次三星讲GAA只是用专有名词来唬外行人，报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电，“只能说不是想像力太丰富，就是三星的营销比较厉害”。

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