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第一批XL-FLASH部件将使用128Gb裸片，结构上可以分为16层，以支持比现有的面向容量的3D NAND部件更高程度的并行性，页面大小为4KB，明显小于大多数3D NAND的容量来得小，再加上XL-FLASH每个单元只存储一位而不是三位或四位，因此我们预计它会比主流多层NAND的容量要小得多。
性能方面，由于采用了不同的结构，东芝表示读取延迟将小于5微秒，相比之下，他们的3D TLC约为50微秒。东芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之间最明显的差异可能最终形成不同的市场取向，三星将自己的Z-NAND用于自己的Z-SSD产品，但东芝的XL-FLASH将与3D TLC和QLC NAND一样销售。我们已经从一些SSD控制器供应商处听说他们计划在他们即将推出的控制器中支持XL-FLASH，当XL-FLASH开始进入市场时，SSD品牌应该会迅速跟进。
新一届的闪存峰会将于明天在圣克拉拉拉开帷幕，东芝将首次发表主题演讲。
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