Intel继续“打磨”22nm工艺 生产超强寿命RRAM芯片

22FFL是Intel结合22nm及14nm FinFET工艺开发的一种改良版工艺，FFL中的L代表Low Leakage，漏电流更低，指标位于两种工艺之间，晶体管密度为1880万晶体管/平方毫米，略好于22nm工艺，但它的优势在于功耗低，成本也低，毕竟22nm工艺量产这么多年了。

22FFL工艺不会用来生产先进处理器了，但它会在别的芯片上找到自己的位置，此前Intel宣布使用22FFL工艺生产了MRAM（磁阻RAM），现在VLSI 2019大会上，Intel又提到了22FFL工艺已经准备好生产RRAM（可变电阻RAM）。

不论是MRAM还是RRAM芯片，它们的特性都是超强性能，延迟堪比内存，而且是超长寿命及可靠性，写入次数都是上万次起的，耐高温，寿命长达10多年，但是现在的问题就是这些芯片的容量都很低，通常是256Mb、512Mb，有些能上到1Gb左右，反正相比常规的RAM及NAND还差很远。

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