三星即将宣布3nm以下工艺路线图 挑战硅基半导体极限

在半导体工艺上，台积电去年量产了7nm工艺（N7+），今年是量产第二代7nm工艺（N7+），而且会用上EUV光刻工艺，2020年则会转向5nm节点，目前已经开始在Fab 18工厂上进行了风险试产，2020年第二季度正式商业化量产。

明年的5nm工艺是第一代5nm，之后还会有升级版的5nm Plus（5nm+）工艺，预计在2020年第一季度风险试产，2021年正式量产。

三星这边去年也公布了一系列路线图，而且比台积电还激进，直接进入EUV光刻时代，去年就说量产了7nm EUV工艺，之后还有5nm工艺，而3nm工艺节点则会启用GAA晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

3nm之后呢？目前台积电、三星甚至Intel都没有提及3nm之后的硅基半导体工艺路线图，此前公认3nm节点是摩尔定律最终失效的时刻，随着晶体管的缩小会遇到物理上的极限考验。

三星将在5月14日举行2019年度的SSF晶圆代工论坛会议，消息称三星将在这次会议上公布3nm以下的工艺技术，而三星在这个领域的进展就影响未来的半导体晶圆代工市场格局。

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