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西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

MWC 2019期间,Western Digital(西部数据)发布了iNAND MC EU511闪存芯片,采用96层3D NAND,符合UFS 3.0规范

性能方面,基于SmartSLC Generation 6,顺序写入速度高达750MB/s

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

容量方面,单芯片64GB起步,最大512GB。

此前,iNAND产品归属与SanDisk(闪迪),可以看出被西数收购后,后者要进一步强化统一化的品牌管理,机械硬盘领域的HGST(昱科)也是一样道理。

当然,UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

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