国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产

陈钰林分别从企业介绍、GaN在快充市场的机会、高频高效快充方案挑战点三个角度入手，给行业工程师们分享了有关GaN的相关知识。

GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

陈钰林透露，国产GaN研发取得突破进展，100V、150V、650V三个GaN新品将于2018年12月底试产，2019年正式量产。目前，英诺赛科已有5个产品（40V、60V、100V等）实现小批量生产并有接到订单，这些产品均采用了目前行业领先的8寸Fab产线制造。

目前英诺赛科采用IDM全产业链模式，国内首家自建8寸晶圆厂用于GaN的产业配套，成功建立了一条涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等在内完整的GaN产业链。产品包括30V到650V的功率器件，功率模块，及射频器件等，将在5G通信，新能源汽车，智能制造，人工智能，大数据中心等战略新兴领域拥有巨大的优势和发展空间。

现场，英诺赛科展示了最新的15W车载充电器应用案例，通过跟传统方案对比发现，具有体积小、效率高等特色，这个正是基于量产的GaN进行开发设计。

除了车载充电器应用，氮化镓在大功率快充充电器的应用可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块，小巧的体积一样可以实现大功率输出，比APPLE原厂30W充电器更小更轻便。

将内置氮化镓充电器与传统充电器并排放在一起看看，内置氮化镓充电器输出功率达到27W，APPLE USB-C充电器输出功率30W，两者功率相差不大，但体积上却是完全不同的级别，内置氮化镓充电器比苹果充电器体积小40%。

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