实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张,此前只是技术探索阶段,寻找到了可行的技术路径。
现在2nm工艺才算是进入了研发阶段,重点转向了测试载具设计、光罩制作及硅试产等方向。
根据台积电的说法,2nm工艺节点上,他们也会放弃FinFET晶体管结构,转向GAA环绕栅极结构,此前三星更为激进,在3nm节点就会弃用GAA晶体管,不过这两家的GAA晶体管结构也不会一样,孰优孰劣还没定论。
在2nm节点,光刻工艺更加重要,EUV光刻是少不了的,但此前的EUV工艺还存在不少问题,台积电的2nm节点也会重点改进EUV工艺,提高光刻中的质量及效率。
至于量产时间,台积电的2nm工厂现在还在起步阶段,此前消息称是2023年试产2nm工艺,2024年量产。
本文素材来自互联网