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此前信息显示，ASML下一代EUV光刻机最早是2022年开始出样，大规模量产是2024-2025年间。
ASML的EUV光刻机目前主要是NEX:3400B/C系列，NA数值孔径是0.33，下一代EUV光刻机是NEX:5000系列，可将NA提升到了0.55，意味着光刻机的分辨率提升了70%。（注：NA越高，光刻机精度越高）
目前的EUV光刻机可以用于制造7nm到3nm工艺的芯片，下代EUV光刻机则是针对3nm以下的节点，2nm甚至未来的1nm工艺都要用到NA 0.55的EUV光刻机。
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