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2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm:首发GAA工艺

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2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm:首发GAA工艺

在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

值得一提的是,台积电也似乎感受到了三星的压力,原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

本文素材来自互联网

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