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电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

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开盖当然是基本操作了,还要尽可能把处理器搞得支离破碎,最后用导电胶固定在支架上,以便电镜X射线工作。

为了方便对比,特别选取的是各自处理器的L2缓存部分,这往往是工艺水准的集中体现。

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

简单来说,Intel 14nm芯片晶体管的栅极宽度为24nm,而AMD芯片的栅极宽度为22 nm,栅高也相当相似。

虽然乍一看两者并没有太大不同,但仔细一瞧,台积电的节点仍然比英特尔的密度要大得多,毕竟名义上领先一代。

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张

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