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其他融资还来自Bpifrance（法国公共投资银行）和其他银行合作伙伴。应用材料公司和ARM有限公司是MRAM技术发展的重要支持者，他们还向Spin Memory Inc.（加州弗里蒙特）投资了大量资金。
SOT-MRAM代表了自旋扭矩转移（STT）MRAM之外的进一步发展。它蕴含着成为人们期待已久的通用嵌入式非易失性存储器所需的特殊耐力循环的可能性。MRAM等基于逻辑的嵌入式存储器技术的持续发展，有望为物联网和边缘AI设备提供低功耗、高性能和高耐久性。通过同时实现高运行速度和无限的读写耐久性，SOT有可能取代微控制器、微处理器和系统级芯片设计中的嵌入式非易失性存储器和SRAM缓存。
如果SOT-MRAM可以用来取代SRAM在寄存器、倒装片、刮片存储器中非常接近逻辑电路并在逻辑电路中使用，将对处理器的设计运行方式产生重大影响。与SRAM存储器单元相比，MRAM已经具有非波动性和密度的优势，SRAM通常使用6个晶体管来实现，但它需要表现出优异的耐力循环，才能适用于逻辑电路。
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