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那下降的到底有多严重，从行业报告来看，SLC闪存在5xnm工艺下寿命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工艺下会下降到10000、7500、5000次，总体还是耐看的。
MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次，TLC则会极速下滑到500次，QLC再次下降一个量级到70次，PLC闪存则是直接降至35次，理论上就是35次全盘写入就不行了。
从这些数据来看，QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看，不过也别担心，上面的数据是2D NAND工艺下的，3D NAND闪存对工艺要求不高，P/E寿命还是可以看的。
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