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此前我们已经基本确认，Rocket Lake-S会继续使用14nm工艺制造，但这并不是全部，事实上根据@chiakokhua的最新说法，Rocket Lake-S处理器内部有两颗小芯片，其一是14nm工艺的CPU核心模块，其二是10nm工艺的非核心模块。
14nm核心模块集成基于Willow Cove新架构的CPU核心，通过环形总线串联在一起，14nm非核心模块则集成12代Xe架构的GPU核芯显卡(最多96个单元)、双通道DDR4内存控制器、PCIe 4.0总线控制器、显示与多媒体引擎等等，两个模块通过System Agent总线、EMIB互连封装在一起。
上图中CPU核心画了10个，不过传闻称，Rocket Lake-S最多只有8个核心，当然这里只是个示意图，不必太在意。
这一次，Rocket Lake-S不仅会是Intel首次在消费级市场支持PCIe 4.0，而且通道数量会从多年不变的20条首次增加到24条，其中16条用于独立显卡、8条用于扩展。
当然，这并不是Intel第一次如此设计芯片，一代酷睿家族、LGA1156接口的Clarkdale就这么干过，内部一颗32nm核心模块、一颗45nm非核心模块(包括GPU)。
但奇怪的是，无论AMD锐龙，还是Intel Clarkdale，都是核心模块使用先进工艺，非核心模块使用相对落后的更成熟工艺，目的在于降低成本，Rocket Lake-S则反了过来。
唯一的解释就是，10nm工艺仍然不足以制造高性能CPU核心，频率上不去，远不及极度成熟的14nm。
此前还有普遍传闻称，代号Alder Lake-S的第12代桌面级酷睿，将会终于引入10nm，并且引入大小核混合架构，8+8组成16核心，类似刚刚发布的4+1核心的超低功耗版Lakefield，而后者同时使用了10nm、22nm。
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