三星正在研发160层及以上的3D闪存

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的，美光、SK海力士有128层的，Intel的是144层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。

在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。

目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息，韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

对了，单从层数上来说，三星的160层+还不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存，不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。

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