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资料图（来自：Samsung）
得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。
三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。
不过，目前支持DDR5的PC平台尚未亮相，LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB），地点是平泽市的V2线。
根据三星此前的预判，EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。
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