投资200亿美元与三星决战 台积电3nm技术论坛延期

在3nm节点上，三星已经抢先一步，去年就宣布了3nm GAE工艺，将在3nm节点放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管工艺，比7nm工艺，3nm GAE工艺号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

台积电的3nm很可能没三星这么激进，之前的消息称3nm节点会继续用FinFET工艺，在第二代3nm或者2nm节点才会升级到GAA晶体管技术。

原本3nm工艺的秘密会在4月29日的台积电美国技术论坛上揭秘，不过现在要推迟到8月24日了，在圣克拉拉举行技术论坛，8月25日则会紧接着举行开放创新平台论坛。

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