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资料图（来自：Samsung）
其它性能参数还包括，连续读取速度可达2100MB/s，随机读取速度就100K IOPS，随机写入速度70K IOPS。当然，这批新的eUFS 3.1闪存还有128GB和256GB容量。
另外，三星还透露，其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。
此前，西部数据、铠侠（原东芝存储）也介绍了UFS 3.1闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。
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