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2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH

不论NXE:3400B还是NXE:3400C,目前的EUV光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的NA(数值孔径)为0.33。

2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

根据光刻机的分辨率公式,NA数字越大,光刻机精度还会更高,ASML现在还研发NA 0.55的新一代EUV光刻机EXE:5000系列,主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

EXE:5000系列的下一代光刻机主要面向后3nm时代,目前三星、台积电公布的制程工艺路线图也就到3nm,2nm甚至1nm工艺都还在构想中,要想量产就需要新的制造装备,新一代EUV光刻机是重中之重。

根据ASML的信息,EXE:5000系列光刻机最快在2021年问世,不过首发的还是样机,真正用于生产还得等几年,乐观说法是2023年或者2024年才有可能看到NA 0.55的EXE:5000系列光刻机上市。

2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

本文素材来自互联网

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