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SK Hynix将为下一代HBM内存启用DBI Ultra内部互联技术

SK Hynix将为下一代HBM内存启用DBI Ultra内部互联技术

(题图 via AnandTech)

该公司称,与传统的铜柱互连技术(每平方毫米 625 个互联)相比,DBI Ultra 支持更多的互联数、可提供更大的带宽。

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此外,DBI Ultra 能够缩短三维高度,在常规 8-Hi 相同的空间里实现 16-Hi 的芯片堆叠,从而带来更大的存储密度。

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与其它下一代互连技术一样,DBI Ultra 支持 2.5D 和 3D 集成。此外,它允许集成不同尺寸、以及使用不同工艺技术生产的半导体器件。

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这种灵活性不仅可以造福于下一代大容量高带宽内存解决方案(比如 3DS 和 HBM),还适用于各种高度集成的 CPU、GPU、ASIC、FPGA 和 SoC 等应用。

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DBI Ultra 使用的化学黏合剂,可以不增加互连层的支撑高度,且无需铜柱或底部填充。

尽管与传统堆叠工艺使用的工艺流程有所不同,但 DBI Ultra 可继续套用现有的模具、且无需高温,因此成品率相对较高。

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当然,这么做肯定需要付出一定的代价,或许这也是 Invensas 和 SK Hynix 没有明确透露 DBI Ultra 在下一代存储芯片上的使用成本的一个原因。

本文素材来自互联网

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