域名频道资讯站DRAM内存的特点是读写速度快、延迟低，但属于易失性存储，也就是一旦断电，数据就会全部丢失。
DRAM内存颗粒利用晶体管加电容来保存数据，而且只是临时存储数据，并没有实质性的写入，不涉及对物理单元结构、属性的改变，所以可以无限次读写。
当然，这并不意味着DRAM内存就可以永久使用，毕竟其中的晶体管、电容等物理结构也会慢慢老化，所有电子设备都是如此，只是这个过程非常非常缓慢，正常使用根本感觉不到。
SSD则是外部存储，用来长久保存数据，属于非易失性存储，断电后数据还在，但是相对速度慢、延迟高，HDD机械硬盘、U盘、光盘等也是此类。
SSD的存储介质是NAND闪存颗粒，需要施加不同的电压、改变内部状态来存储数据，随着时间的流逝、读写次数的增加，会出现物理性的损耗，最终不可用。
NAND闪存的寿命一般用P/E编程擦写次数来描述，写满一次容量就损失一次P/E。
SLC大约是10万次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC仅为1000次上下，所以不得不依靠更多管理技术和算法来辅助，以保持寿命。
但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存储密度越来越大，SSD容量也越来越大，写满的概率越来越低，所以整个SSD的实际寿命其实并没有大大缩短，一般应用无需过分担忧寿命问题。
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