第三代HBM2的电压和上一版一致,为1.2V,比第一代的1.35V有所下降。
简单比较下,常见高端独显采用的256bit GDDR6,按照14Gbps的针脚带宽计算,总带宽448GB/s,也就是第三代HBM2一个堆栈的水平。
考虑到HBM2更容易扩充总线宽度,GDDR6过犹不及,况且单堆栈最大容量就能达到24GB,四堆栈直逼100GB。
图为HBM显存示意
事实上,3.2Gbps的第三代HBM2早先已经由三星和SK海力士提出,并更名为HBM2E,这种说法也得到了JEDEC默认。
在JESD235C标准发布的同时,三星宣布,名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产,单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。
三星的第三代HBM2E甚至支持超频,单针脚可加速到4.2Gbps,单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。
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