兆易创新：首款DRAM芯片最晚2025年量产

表中可知，兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证，最晚将于2025年量产。

兆易创新披露，公司Flash芯片的下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高。

对首款芯片试样片进行封装测试，后送至系统芯片商处进行功能性认证，认证完毕后送至客户进行系统级验证，包含功能测试、压力测试、烧机验证等，通过所有验证后完成客户验证，验证完成后进行小批量产，实施时间预计在2021年。

另外，兆易创新表示，公司拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

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