美国封杀GAA半导体技术出口 中国突破3nm工艺要靠自己了

大家都知道半导体工艺跟晶体管息息相关，目前台积电、三星、Intel、格芯量产的先进工艺普遍是基于FinFET鳍式晶体管的，从22nm工艺到明年才能量产的5nm工艺都使用了FinFET晶体管。

5nm往后半导体工艺制造愈发困难，要想获得性能及密度改进，晶体管就要转向新一代结构了，GAA环绕栅极晶体管就是最有希望的，三星去年就率先发布了3nm GAA工艺——3GAE。

根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产，最快2022年就能量产。

台积电及Intel还没有具体公开3nm及以下工艺的详情，不过5nm之后转向GAA晶体管技术也是板上钉钉了，所以GAA晶体管技术会成为未来几年里半导体工艺的新选择。

美国封杀GAA晶体管技术出口，国内最大的晶圆代工厂中芯国际及华虹半导体是没可能获得外援了。不过话说回来，即便没有美国的封杀，国内指望海外技术转移升级GAA工艺也是没可能的。

中芯国际今年可以量产14nm工艺，这是国产第一代的FinFET工艺，后续也有改进型的12nm FinFET工艺，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。

根据中芯国际之前在财报会议上的信息，12nm工艺应该是他们的N+1工艺，后续还会有更先进的N+2代工艺，只不过官方没有明确N+2是否就是7nm节点。

总之，美国现在禁止出口GAA工艺显然是想封锁中国公司的半导体技术能力，不过这件事目前来说影响并不大，因为国内距离3nm工艺还有点距离，国内的半导体公司也早就认识到技术研发要以自己为主，加大投资、吸引更多人才自主研发才是解决问题的关键。

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