英特尔在IEDM会议上展望未来十年的芯片发展路线图

资料图（来自：Intel）

英特尔预计自家工艺节点技术可每两年迎来一次飞越，首先是从 2019 年的 10nm 工艺、升级到 2021 年的 7nm 极紫外光刻（EUV）。

然后是 2023 年 5nm，2025 年的 3nm，2027 年的 2nm，直至 2029 年的 1.4nm —— 这已相当于 12 个硅原子所占的位置。

有趣的是，今年的 IEDM 会以上，还介绍了所谓的“2D 自组装”材料，尺寸大约为 0.3nm 。

尽管不是第一次听说，但在硅芯片制造领域，英特尔及其合作伙伴仍有许多小问题需要克服。

在两代工艺节点之间，英特尔还会引入 + 和 ++ 的迭代版本，以充分榨取每代制程的性能。

比较例外的是 10nm，它已经处在 10nm+ 的阶段。因此在 2020 和 2021 年，我们将见到 10nm ++ 和 10nm +++ 。

英特尔认为，其能够按照年度节奏来实现这类操作，但也有专门的团队来确保一个完整的制程节点可与另一个制程节点重叠。

有趣的是，幻灯片中竟然还提到了反向移植（Back Porting），这是芯片设计时就考虑的一种能力（在较旧的 ++ 节点上重新制作）。

（图 via TechSpot）

尽管英特尔表示其正在将芯片设计从工艺节点中剥离出来，但由于制程已被锁定，其在具体实施上并不是一件简单的事情。

从幻灯片来看，反向移植仍存在着一定的限制，比如第一代 7nm 设计可反向移植到 10nm +++，5nm 均支持回退至 7nm ++，3nm 可移植到 5nm ++，以及 2nm 到 3nm ++ 。

需要指出的是，这并不是英特尔首次提及反向移植硬件设计。由于当前一代 10nm 制程拖了后腿，英特尔已经考虑到了 10nm + 和 10nm ++ 的退路。

通常随着制程节点的发展，每一次大版本迭代都有不同的团队来负责。但幻灯片指出，英特尔正在开发 10nm +++ 优化和 7nm 系列制程工艺。

展望未来，我们还将见到基于 10nm ++ 芯片设计的 7nm 产品、基于 7nm 设计的 5nm 产品、以及基于 5nm 设计的 3nm 产品。

值得一提的是，2023 年的 5nm 制程节点，刚好也是 ASML 开售其 High NA EUV 光刻机的时间，此外英特尔还一直在考虑新材料和新的晶体管设计。

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