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内存亮相:紫光存储携手西安紫光国芯闪耀MTS2020

令人瞩目的是,西安紫光国芯研发设计的第四代内存DDR4 DRAM将在此次峰会上与公众见面。

西安紫光国芯将展出从颗粒到模组全系列的内存产品,包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM颗粒,SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模组产品,和世界首款商用内嵌自纠错DRAM,即ECC DRAM产品。

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图1 西安紫光国芯的DDR4 DRAM颗粒

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图2 西安紫光国芯的LPDDR4颗粒

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图3 西安紫光国芯的DDR3 ECC DRAM颗粒

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图4 西安紫光国芯的SO-DIMM内存模组

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图5 西安紫光国芯的U-DIMM内存模组

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图6 西安紫光国芯的R-DIMM内存模组

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图7 西安紫光国芯的NVDIMM内存模组

西安紫光国芯一直专注于存储器领域,尤其是DRAM存储器的研发和技术积累。该公司在DRAM产品定义、设计、测试、量产和销售上建立了完整成熟的体系,累计二十余款芯片产品和四十余款模组产品,实现了全球的量产和销售。

【关于MTS2020】

11月27日,由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会(MTS2020)”将在深圳金茂JW万豪酒店举办。本次峰会将汇聚全球存储产业链重量级嘉宾以及集邦咨询内存和闪存核心分析师出席活动,共同探讨2020年存储市场新趋势、新变化。

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本文素材来自互联网

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