三星宣布7nm LPP量产！基于EUV光刻技术、性能增加20%

简单来说，EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片，而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长，并且需要昂贵的多模掩模装置。EUV技术使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能，而ArF可能需要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。也就是说，与非EUV工艺相比，三星的7 LPP工艺可使光罩总数减少约20%，为客户能够节省时间和成本。

三星透露，其从2000年左右就着手研究EUV技术了。

技术指标上，对比10nm FinFET，三星7nm LPP可实现面积能效（同样复杂度为量纲）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量产为其推进3nm奠定了基础、指明了道路。产能方面，主要在韩国华城的S3工厂，2020年前会在开一条新产线。

目前已知，高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺，看起来骁龙8150/8180等SoC希望也很大。

图为三星EUV产线

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