拿下30万平土地：台积电年底开建3nm晶圆工厂

在7nm世代取得大捷后，台积电在上周的财报会议上表示，5nm的进度比7nm更顺利，产能也会提至新高。

关于3nm的技术细节，台积电尚未披露。至少三星方面称，FinFET（鳍式场效晶体管，华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明）会在4nm LPE之后走到尽头。他们提出的新解决方案是GAA MCFET（多桥通道FET），且有3 GAAE（GAA Early）和3 GAAP（GAA Plus）两代。

2010年，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡正明发明的FinFET和FD-SOI工艺得以使摩尔定律延续传奇。

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