台积电表示明年第2季度开始批量生产5nm芯片

为了提高产能，台积电最近将2019年资本支出从100亿-110亿美元增加至140亿-150亿美元。台积电特别投资为其尖端节点购买设备，例如，ASML生产的Twinscan NXE步进扫描系统，用于对选定层使用极紫外光刻（EUVL）工艺。目前，台积电的Fab 15正在使用N7+工艺制造SoC，而其Fab 18（第一阶段设备安装已于2019年3月完成）正在按计划从2020年第2季度开始大批量生产N5工艺芯片。

未来几个月将购买的新工具预计将在2020年安装，届时该公司将能够利用其N7、N7+、N7P、N6、N5和N5P工艺技术快速提高芯片产量。该公司对其5nm工艺市场份额充满信心。

N5及其使用EUVL前代产品之间主要区别在于，它将在多达14层上使用EUVL（在N7 +和N6的情况下为4层和5层）。因此，N5产品将增加最新设备的使用率，并在一定程度上证明EUV工具和生态系统是否已准备就绪。目前，台积电似乎对EUVL非常乐观。它使用的光源提供超过250瓦的输出功率，并达到了可用性的目标。

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