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中兴穿孔屏前摄专利曝光 较三星Infinity-O方案更加隐匿

中兴穿孔屏前摄专利曝光 较三星Infinity-O方案更加隐匿

新设计巧妙而又不失时尚(题图 来自:LetsGoDigital)

2019 年 4 月,中兴通讯公司向世界知识产权组织(WIPO)提交了这项专利申请,并于 2019 年 10 月 17 日向外界公布。

中兴穿孔屏前摄专利曝光 较三星Infinity-O方案更加隐匿

(图自:LetsGoDigital)

专利中描述了一款带有极小屏幕开孔的前摄智能机,且其开孔的位置也相当独特。为了尽可能地减少摄像头的“突兀感”,中兴决定让前摄开孔更好地隐藏在信号栏的状态浮标中。

中兴穿孔屏前摄专利曝光 较三星Infinity-O方案更加隐匿

(图自:LetsGoDigital)

如图所示,屏幕左上角可见信号强度信息,右上角则有电量指示等图标,前置摄像头开孔就隐藏在其中,很难被用户给留意到。

中兴穿孔屏前摄专利曝光 较三星Infinity-O方案更加隐匿

(图自:LetsGoDigital)

此外专利文件还指出,该机屏幕具有“声波传输区域”(屏幕发声技术),意味着扬声器、接收器 / 麦克风都可置于屏幕下方。

这点已被其它手机厂商实践过,比如今年年初的 LG G8 ThinQ 。遗憾的是,专利中没有揭示这款中兴智能机的背部设计。

本文素材来自互联网

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