Intel规划浮栅型结构3D PLC闪存：明年把QLC堆到144层

在介绍活动中，Intel透露，其3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构（Floating Gate），尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型，但Intel指出，浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

有路边消息称，Intel和美光之所以在SSD上分手，原因是美光决定放弃浮栅转向电荷捕获，加入三星、东芝、SK海力士等大军。三星曾强调，电荷捕获相较浮栅技术，可以有效提升闪存的耐久度。

另外，Intel表示，今年将推出96层QLC存储产品，明年首秀业内首款144层QLC固态硬盘，用于数据中心。

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