传合肥长鑫年底量产DDR4内存：19nm工艺、8Gb核心

最新消息显示，合肥长鑫的进展还跟顺利，已经提前进行机台安装，有望在Q4季度顺利量产国内第一批内存。

根据合肥长鑫之前公开的资料，去年该公司与兆易创新达成了合作协议，共同开发19nm工艺的DRAM内存，去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4内存样品，年底正式量产，月产能将达到2万片晶圆，后续不断提升到12.5万片晶圆/月的目标产能。

此前在GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的DRAM内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。

如果年底顺利量产19nm工艺、8Gb核心的内存，虽然与美光、三星等公司的第三代10nm工艺还有一两代的代差，但是这个技术水平还是可以的，因为市面上很多内存条也就是这个规格，用于制备单条8GB、16GB的内存条是OK的，可以说国产内存的起点是非常高的，但后续的良率、产能提升才是关键，在这个市场上赚到钱活下去并不容易。

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