中芯国际将于2019下半年启用14nm FinFET芯片生产线

（题图 via AnandTech）

中芯国际称，其 14 纳米 FinFET 采用完全自主研发的制造技术。与依赖平面型晶体管的 28nm 制造工艺相比，预计可显著提升晶体管密度、提升性能、以及降低芯片的功耗。

该公司原计划在 2019 上半年开始生产 14nm 芯片，但现在有些落后于既定的时间表。尽管如此，FinFET 工艺的突破，对这家公司仍然有着巨大的意义（跻身包括另五家代工厂在内的俱乐部）。

需要指出的是，目前中芯国际只有两座较小的 300mm HVM 晶圆厂（用于 28~65 nm 制程节点产品的制造），当前营收占比在 40~49% 左右（今年 1/2 季度）。

今年早些时候，中芯国际完成了价值 100 亿美元的 FinFET 工厂的建设，它将用上该公司最尖端的制造技术。

一旦晶圆厂做好了商业运营的准备，该公司将能够使用其 14nm 和 12nm FinFET 工艺，大幅提升芯片的产能。

中芯国际的长期计划，包括 10nm 和 7nm 制造工艺。预计后者需使用极紫外光刻设备，该公司去年以 1.2 亿美元从 ASML 购买的 EUV 步进扫描系统，也将于 2019 年交付。

本文素材来自互联网