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官方指出，新 3D NAND 生产设施占地 16.5 万平米。至于洁净室的空间、以及其它扩展功能部分，美光暂未透露。
目前该工厂正在设备安装阶段，预计可在 2019 下半年（未来 4-5 个月）投产 96 层 3D NAND 。至于具体的生产安排，将依实际需求而定。
在设备齐全之后，这里也不会增加任何新的晶圆容量，而是容纳更多 3D NAND 层数制造所需的、更先进的工艺设备。
据悉，随着 3D NAND 层数的增加，每片晶圆都需要在化学气相沉积（CVD）机器中耗费更多的时间，意味着蚀刻的工艺流程会被拖得更久。
此外，美光还会运用更多奢侈的生产技术。为了保持晶圆处理数量的一致性，闪存制造商必须在洁净室中加装额外的 CVD 和蚀刻机，这对设施空间提出了额外的要求。
综上所述，尽管 Fab 10 Expansion 可能不会提升美光新加坡工厂的每月晶圆数量，但确实可在 NAND 闪存生产方面实现一定的增长。
最后，除了新的制造工厂，美光还将扩大在新加坡的研发业务。其 NAND 卓越中心着力进行技术研发和产品工程，以进一步提升 Fab 10 工厂的产能和良率。
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