美光量产第三代10nm级内存：首发1Znm工艺 16Gb DDR4

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。

此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

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