无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展

对三星来说，日本管制的材料中光刻机、氟化氢影响更大，对三星的晶圆代工、存储芯片生产都有致命影响，之前甚至有传闻称三星因为得不到供应而停止研发7nm EUV工艺了。

不过三星似乎有意向外界证明在这场危机中他们有能力走出困境，宣布9月4日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”（SFF）将如期举行，否认了韩媒所说的三星取消日本论坛会议的报道。

三星近年来加大了对晶圆代工市场的投入，每年都会举行多场“三星晶圆代工论坛”（SFF），9月4日的这次会议是日本专场，这次的重点将是三星研发中的3nm GAA环绕栅极工艺，这是5nm节点之后又一个重大节点。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

目前在3nm节点上，三星是第一个也是唯一一个公布具体技术路线的，Intel现在只提到7nm工艺，5nm都遥遥无期，更别说3nm工艺，而台积电虽然要投资250亿美元建设3nm晶圆厂，不过尚未公布过3nm的技术路线，是否上GAA晶体管也是未知数。

所以在3nm节点上，三星自信他们会领先，有分析称三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间，领先Intel公司2-3年时间，可以说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

按照规划，三星最快在2021年就要量产3nm GAA工艺了，届时Intel才会进入7nm量产初始街道，台积电会量产5nm工艺，试产3nm工艺。

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