SK海力士计划今年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度

（图自：SK Hynix，via AnandTech）

2019 年 2 季度，SK 海力士的 NAND 闪存出货量环比增长了 40％，因为该公司增加了 72 层 3D NAND 的产量。传统上 1 季度需求较缓但总体增长，但与此同时，3D NAND 的均价跌了 25％，这也是 SK 海力士决定减产的主要原因。

随着 SK 海力士和其它 NAND 闪存制造商向更先进的 3D NAND 设计过渡 —— 层数更多，或启用 3D QLC、每单元比特位密度更高 —— 某种程度上就会造成供应过剩，才导致将晶圆削减 10-15%，都不足以降低同等容量的产能。

SK 海力士目前为数据中心和主流 SSD 市场生产 72 层 3D NAND，512 Gb 96 层 3D TLD NAND 已于去年 11 月投产、且该公司计划很快增加 96 层 3D NAND 的产量。

此外，SK 海力士最近开始提高 1 Tb“4D”TLC NAND 的产量 —— 这种电荷陷阱闪存（CTF）设计，采用了单元外设（PUC）架构，有望显著提升目前出货的 3D NAND 的比特位密度，并进一步增强产能输出。

最后，除了减少 3D NAND 晶圆的开工数量，SK 海力士还将放慢韩国清州附近 M15 工厂的洁净室空间扩张速度（该工厂可生产 DRAM 和 3D NAND），并延迟利川附近 M16 工厂的设备安装。

虽然 SK 海力士没有给出详细的说明，但其表示 —— 与 2019 年相比，该决定将显著降低 2020 年的资本支出，意味着该工厂的新产能或许不会在明年上线。

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