全球第一家！台积电官宣2nm工艺：2024年投产

按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。

当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)；3nm有望在2021年试产、2022年量产。

三星也早就规划到了3nm，预期2021年量产。

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