其中,SK Hynix已经在今年3月试样96层4D Nand(高集成外围CMOS,称为4D),东芝和西部数据早就规划了128层闪存路线图,且基于TLC颗粒。
虽然堆叠层数的增加对可靠性提出了新挑战,但同时带来的容量倍增以及单位容量存储价格的下降则也是实实在在的福利。
按照此前集邦的资料,今年,512GB将成为市售包括OEM采购SSD的主力容量,照此态势,希捷、西数未来机械硬盘的出货量将在可见的未来继续暴跌。

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其中,SK Hynix已经在今年3月试样96层4D Nand(高集成外围CMOS,称为4D),东芝和西部数据早就规划了128层闪存路线图,且基于TLC颗粒。
虽然堆叠层数的增加对可靠性提出了新挑战,但同时带来的容量倍增以及单位容量存储价格的下降则也是实实在在的福利。
按照此前集邦的资料,今年,512GB将成为市售包括OEM采购SSD的主力容量,照此态势,希捷、西数未来机械硬盘的出货量将在可见的未来继续暴跌。

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