英特尔计划2020上半年启用10nm工艺 并于2021年推进7nm制程

（题图 via AnandTech）

据悉，英特尔的 7nm 工艺有是由不同于 10nm 的开发团队负责的，因此这一技术将比人们想象的更早到来。该制程节点采用了 13.5nm 极紫外光刻（EUVL），不依赖多重曝光（这是英特尔 10nm 工艺面临的主要问题）。

事实上，EUV 的使用将简化产品的开发、制造，且有望缩短其生产周期。至于首款采用 7nm 工艺的英特尔芯片，将是 2021 年推出的基于 Xe 架构的 GP-GPU 。

此外，这颗芯片还会采用英特尔的嵌入式芯片互连桥（EMIB）、以及 Foveros 硅堆叠技术，证实了该产品不是单片设计。这意味着 EMIB 和 Foveros 之类的技术，将成为英特尔未来的重要组成部分。

需要指出的是，尽管英特尔首款 7nm 产品将于 2021 年推出，但英特尔强调称，大批量制造（HVM）将于 2022 年开始。届时该技术还会从服务器 GPU 拓展到服务器 CPU 领域，预计未来三四年内会推出更多 7nm 产品。

去年年底的时候，英特尔宣布了一项重大计划，旨在对该公司旗下的众多晶圆厂进行制程升级。从官方信息来看，英特尔正在亚利桑那州的 Fab 42 工厂装备 7nm 芯片制造工艺。

同时，英特尔计划对俄勒冈、爱尔兰、以色列等地的晶圆厂进行升级。如此看来，该公司或在 2021~2022 年间，为其它晶圆厂也做好升级至 7nm 工艺的准备。

最后，与英特尔 14nm 工艺的战略一样，预计该公司的 10nm 和 7nm 工艺也会持续共存许多年。

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