SK海力士宣布2019下半年启用第二代10nm DRAM制造工艺

资料图（来自：SK Hynix，via AnandTech）

据悉，首批采用 SK 海力士 1Y nm 制造工艺的产品，将是其 8Gb DDR4-3200 内存颗粒。与采用 1X nm 制程的产品相比，新工艺可让 8Gb DDR4 的芯片尺寸缩小 20%、功耗降低 15% 。

此外，SK 海力士即将推出的 8Gb DDR4-3200 颗粒有两项重要的改进：4 相时钟方案、以及 Sense 放大器控制技术。

前者可提升信号强度，保障在搞数据传输速率下的稳定性；后者降低了晶体管尺寸缩小时，可能发生数据错误的可能性。

报道称，新 1Y nm 工艺不仅适用于年内增产的 DDR4 产线，也适用于 DDR5、LPDDR5、以及 GDDR6 DRAM 的制造。有鉴于此，该公司必须尽快提升二代 10nm 制造工艺。

实际上，SK 海力士向 10nm DRAM 制造工艺转进的速度，已经远远落后于美光和三星，其早就开始出货第二代 10nm 制程的产品。

自 2018 年以来，SK 海力士一直挣扎于初代 10nm DRAM 的制造，直到最近才有所缓解。让人松口气的是，该公司终于要在 2019 下半年正式出货第二代 10nm DRAM 了。

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